%0 Journal Article
%T Study on the mechanical properties of diamond like carbon films with Si doping<br>掺硅类金刚石膜的制备与力学性能研究
%A Zhao Dong-Cai
%A Ren Ni
%A Ma Zhan-Ji
%A Qiu Jia-Wen
%A Xiao Geng-Jie
%A Wu Sheng-Hu
%A <br>赵栋才
%A 任 妮
%A 马占吉
%A 邱家稳
%A 肖更竭
%A 武生虎
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 用脉冲电弧离子镀技术，通过调整掺硅石墨靶和纯石墨靶的数量，制备了一系列不同硅含量的类金刚石薄膜样品.研究发现：当硅含量达6.7at.%时，类金刚石薄膜的应力从4.5GPa降低到3.1GPa，薄膜的硬度还保持在3600Hv，和没有掺杂的类金刚石薄膜的硬度相比，基本保持不变；当硅含量小于6.7at.％时薄膜的摩擦系数相对于未掺杂的类金刚石薄膜也保持不变，为0.15.当薄膜中硅含量继续增加时，薄膜中C—Si键的含量增多，导致薄膜硬度和应力都有较大幅度地减小、摩擦系数增大、磨损性能也变差了.
%K 类金刚石膜，
%K 掺硅，
%K 应力，
%K 硬度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F767830AAE050B1586079C73F5C09020&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=38B194292C032A66&sid=2DCCA3D6893CC609&eid=CD469DA1E6CDFCA7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=28