A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector
一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法

提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明，该层p-GaN能增加肖特基势垒高度，从而减小了器件的暗电流，提高了器件性能.进一步的计算还发现，对于p型载流子浓度较高的情况下，只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度，对于p型载流子浓度较低的情况下，则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.