%0 Journal Article
%T A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector<br>一种减小GaN基肖特基结构紫外探测器暗电流的方法
%A Zhou Mei
%A Chang Qing-Ying
%A Zhao De-Gang
%A <br>周 梅
%A 常清英
%A 赵德刚
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 提出了一种减小GaN肖特基结构紫外探测器暗电流的方法.该方法是在普通的GaN肖特基结构的表面增加一层薄的p-GaN.模拟计算结果表明，该层p-GaN能增加肖特基势垒高度，从而减小了器件的暗电流，提高了器件性能.进一步的计算还发现，对于p型载流子浓度较高的情况下，只需要很薄的一层p-GaN就能显著增加肖特基势垒高度，对于p型载流子浓度较低的情况下，则需要较厚的一层p-GaN才能有较好的肖特基势垒高度增加效果.
%K GaN
%K Schottky structure
%K ultraviolet photodetector
%K dark current<br>GaN
%K 肖特基结构，
%K 紫外探测器，
%K 暗电流
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=cacca2234722e7b434565decb6e55170&yid=67289aff6305e306&vid=11b4e5cc8cdd3201&iid=e158a972a605785f&sid=f2ac51bc2ee56788&eid=2b382e3cd8412dff&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=13