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物理学报 2007
Investigation of the output characteristics of extremely short external cavity semiconductor laser using the ray tracing method
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Abstract:
基于射线追踪法，推导了外腔半导体激光器的连续输出谱的隐函表达式.在此基础上，结合载流子速率方程，对超短外腔半导体激光器的输出谱及P-I特性进行了研究.结果表明：当外腔长度发生波长量级的变化时，超短外腔激光器的P-I特性将发生显著变化；随着外腔长度的变化，超短外腔激光器的激射波长在10nm范围内呈周期性跳变，当外腔长度介于40μm—70μm范围内，激射波长跳变范围最大.理论模拟结果与实验报道结果符合.
