%0 Journal Article
%T Investigation of the output characteristics of extremely short external cavity semiconductor laser using the ray tracing method
利用射线追踪法研究超短外腔半导体激光器的输出特性
%A Wu Jia-Gui
%A Wu Zheng-Mao
%A Xia Guang-Qiong
%A
吴加贵
%A 吴正茂
%A 夏光琼
%J 物理学报
%D 2007
%I
%X 基于射线追踪法,推导了外腔半导体激光器的连续输出谱的隐函表达式.在此基础上,结合载流子速率方程,对超短外腔半导体激光器的输出谱及P-I特性进行了研究.结果表明:当外腔长度发生波长量级的变化时,超短外腔激光器的P-I特性将发生显著变化;随着外腔长度的变化,超短外腔激光器的激射波长在10nm范围内呈周期性跳变,当外腔长度介于40μm—70μm范围内,激射波长跳变范围最大.理论模拟结果与实验报道结果符合.
%K extremely short external cavity semiconductor laser
%K ray tracing
%K spectrum
超短外腔半导体激光器
%K 射线法
%K 输出谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=1A7F80CA21754FB4A581A919B7D0CA04&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=708DD6B15D2464E8&sid=DA23EF102C937E8D&eid=3DAC7C61A9A100E7&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=17