Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy
InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In01Ga09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02，此结果支持在圆偏振光激发下，重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1，而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps，定性分析了自旋弛豫机理，认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.