%0 Journal Article
%T Study of injection and relaxation of electron spins in InGaN film by time-resolved absorption spectroscopy<br>InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
%A Chen Xiao-Xue
%A Teng Li-Hu
%A Liu Xiao-Dong
%A Huang Qi-Wen
%A Wen Jin-Hui
%A Lin Wei-Zhu
%A Lai Tian-Shu
%A <br>陈小雪
%A 滕利华
%A 刘晓东
%A 黄绮雯
%A 文锦辉
%A 林位株
%A 赖天树
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In01Ga09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02，此结果支持在圆偏振光激发下，重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1，而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps，定性分析了自旋弛豫机理，认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
%K electron spin
%K InGaN
%K spin polarization
%K spin relaxation<br>电子自旋，
%K InGaN，
%K 自旋极化，
%K 自旋弛豫
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B57C0D86808AAD37F9A89ED7EE97C313&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=B31275AF3241DB2D&sid=FC8190EA1C5E2827&eid=04555D009D39477C&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=28