Preparation of polycrystalline V0.97W0.03O2 thin films with ultra high TCR at room temperature
超高温度系数V0.97W0.03 O2多晶薄膜的制备研究

将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶，用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明，薄膜取向单一，为VO2结构的［002］相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%；薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28；室温(300 K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K，是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径，W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近，是IBED V0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.