%0 Journal Article
%T Preparation of polycrystalline V0.97W0.03O2 thin films with ultra high TCR at room temperature<br>超高温度系数V0.97W0.03 O2多晶薄膜的制备研究
%A Li Jin-Hu
%A Yuan Ning-Yi
%A Xie Tai-Bin
%A Dan Di-Di
%A <br>李金华
%A 袁宁一
%A 谢太斌
%A 但迪迪
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶，用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明，薄膜取向单一，为VO2结构的［002］相,晶格参数d比VO2粉晶增大约0.34%；薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28；室温(300 K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K，是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径，W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近，是IBED V0.97W0.03O2薄膜的室温电阻温度系数提高的原因.
%K VO2 film
%K film doping
%K ion beam enhanced deposition<br>二氧化钒薄膜，
%K 薄膜掺杂，
%K 离子束增强沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2C19DA9D5BAE0518&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=38B194292C032A66&sid=D227C2A170C3A3E4&eid=82D2CD7E370B154A&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12