Comparison of the compositions and structures of electrodeposited Cu-poor and Cu-rich Cu(In1-xGax)Se2 films before and after selenization
硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较

采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）预置层，研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明，硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明：在固态源硒化处理后，薄膜成分基本不变；当预置层中原子比Cu/（In+Ga）<11时，硒化后薄膜表面存在大量的裂纹；而当Cu/（In+Ga） >12时，可以消除裂纹的产生，形成等轴状小晶粒；富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In，Ga和Se后，电池效率已达到68%；而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%，值得进一步深入研究.