%0 Journal Article
%T Comparison of the compositions and structures of electrodeposited Cu-poor and Cu-rich Cu(In1-xGax)Se2 films before and after selenization<br>硒化前后电沉积贫铜和富铜的Cu(In1-xGax)Se2薄膜成分及结构的比较
%A Ao Jian-Ping
%A Yang Liang
%A Yan Li
%A Sun Guo-Zhong
%A He Qing
%A Zhou Zhi-Qiang
%A Sun Yun
%A <br>敖建平
%A 杨亮
%A 闫礼
%A 孙国忠
%A 何青
%A 周志强
%A 孙云
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用电沉积法获得了接近化学计量比的贫铜和富铜的Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）预置层，研究比较了两种预置层及其硒化处理后的成分和结构特性.得到了明确的实验证据证明，硒化后富铜薄膜中的CuxSe相会聚集凝结成结晶颗粒分散在表面.研究表明：在固态源硒化处理后，薄膜成分基本不变；当预置层中原子比Cu/（In+Ga）<11时，硒化后薄膜表面存在大量的裂纹；而当Cu/（In+Ga） >12时，可以消除裂纹的产生，形成等轴状小晶粒；富铜预置层硒化时蒸发沉积少量In，Ga和Se后，电池效率已达到68%；而贫铜预置层硒化后直接制备的电池效率大于2%，值得进一步深入研究.
%K Cu(In1-x Gax)Se2 thin films
%K electrodeposition
%K selenization
%K Cu-poor or Cu-rich films<br>Cu（In1-xGax）Se2薄膜，
%K 电沉积，
%K 硒化处理，
%K 贫铜或富铜薄膜
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=4A909CA9DBA0584D9497997B9E7CD9C2&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=38B194292C032A66&sid=6405D27FCB03BF0F&eid=AF251ABCE889FAF8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0