Growth and electrical conductivity of Gd2O3 doped CeO2 ion conductor electrolyte film on sapphire substrate
蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能

采用反应磁控溅射方法，在(0001)蓝宝石单晶衬底上，制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜，采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征，利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能；实验结果表明，GDC薄膜为面心立方结构，在所研究的衬底温度范围内，均呈强(111)织构生长；薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化：衬底温度由室温升高到300℃时，