%0 Journal Article
%T Growth and electrical conductivity of Gd2O3 doped CeO2 ion conductor electrolyte film on sapphire substrate<br>蓝宝石衬底上Gd2O3掺杂CeO2氧离子导体电解质薄膜的生长及电学性能
%A Jiang Xue-Ning
%A Wang Hao
%A Ma Xiao-Ye
%A Meng Xian_Qin
%A Zhang Qing-Yu
%A <br>姜雪宁
%A 王 昊
%A 马小叶
%A 孟宪芹
%A 张庆瑜
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用反应磁控溅射方法，在(0001)蓝宝石单晶衬底上，制备了纳米多晶Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜，采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜物相、结构、粗糙度、表面形貌等生长特性进行了表征，利用交流阻抗谱仪测试了GDC薄膜不同温度下的电学性能；实验结果表明，GDC薄膜为面心立方结构，在所研究的衬底温度范围内，均呈强(111)织构生长；薄膜表面形貌随衬底温度发生阶段性变化：衬底温度由室温升高到300℃时，
%K Gd2O3 doped CeO2 electrolyte film
%K reactive magnetron sputtering
%K growth nature
%K electrical properties<br>Gd2O3掺杂CeO2电解质薄膜，
%K 反应磁控溅射，
%K 生长特性，
%K 电学性能
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F54335B226B6044CBD9B269A6841CB5F&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=38B194292C032A66&sid=15C3751723C70FA2&eid=9F5F5A017B7EC6D9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11