Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor
掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小.