%0 Journal Article
%T Influence of doping level on electrical properties of ZnO-based composite varistor<br>掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响
%A Fu Xiu-Li
%A Tang Wei-Hua
%A Peng Zhi-Jian
%A <br>符秀丽
%A 唐为华
%A 彭志坚
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场强EL和击穿场强EB)将增大;但是,当Sb元素掺杂量较高时,随着更多Sb2O3的掺入,漏电流急剧增大,αL和αB进一步减小,而EL和EB将突然减小.随着Bi元素掺杂水平的提高,所得氧化锌基变阻器材料漏电流增大,αL和αB增大,而EL和EB减小.
%K 氧化锌
%K 掺杂
%K 复合陶瓷变阻器
%K 电学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=986D106BC108B100A6B2CC5336770DA7&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=E2D6A27023371FA7&eid=46984DE1F6291113&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0