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物理学报 2009
Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate dielectric
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Abstract:
采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比，验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律，与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比，得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的，证明栅介质减小了引
