%0 Journal Article
%T Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-HEMT with Al2O3 gate dielectric<br>Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
%A Liu Lin-Jie
%A Yue Yuan-Zheng
%A Zhang Jin-Cheng
%A Ma Xiao-Hu
%A Dong Zuo-Dian
%A Hao Yue
%A <br>刘林杰
%A 岳远征
%A 张进城
%A 马晓华
%A 董作典
%A 郝跃
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用原子层淀积(ALD)实现了10nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT). 通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比，验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势. 通过分析MOS-HEMT器件在30—180℃之间特性的变化规律，与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比，得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的，证明栅介质减小了引
%K ALD
%K AlGaN/GaN
%K MOS-HEMT
%K temperature characteristics<br>原子层淀积，
%K AlGaN/GaN，
%K MOS-HEMT器件，
%K 温度特性
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DAE8FD5DAF287B1F3BCF742B4698664E&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=323E8A365B085E0B&eid=DFBC046213B3DD86&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0