Characterization of homoepitaxial and heteroepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition
同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能

采用化学气相沉积(CVD)技术，以高温高压(HTHP)合成的(100)金刚石和p型(100)Si为衬底制备了硫掺杂和硼-硫共掺杂金刚石薄膜，利用原子力显微镜(AFM)、扫描隧道显微镜(STM)及隧道电流谱(CITS)等手段分析同质和异质外延CVD掺杂金刚石薄膜的结构和性能.结果表明:异Si衬底上CVD金刚石的形核密度低，薄膜表面比较粗糙，粗糙度达到18.5nm；同质HTHP金刚石衬底上CVD金刚石薄膜晶粒尺寸约为10—50nm，表面平整，表面粗糙度为1.8nm.拉曼测试和电阻测量的结果显示，在HTHP金刚