%0 Journal Article
%T Characterization of homoepitaxial and heteroepitaxial diamond films grown by chemical vapor deposition<br>同质与异质外延掺杂CVD金刚石薄膜的结构与性能
%A Li Rong-Bin
%A <br>李荣斌
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用化学气相沉积(CVD)技术，以高温高压(HTHP)合成的(100)金刚石和p型(100)Si为衬底制备了硫掺杂和硼-硫共掺杂金刚石薄膜，利用原子力显微镜(AFM)、扫描隧道显微镜(STM)及隧道电流谱(CITS)等手段分析同质和异质外延CVD掺杂金刚石薄膜的结构和性能.结果表明:异Si衬底上CVD金刚石的形核密度低，薄膜表面比较粗糙，粗糙度达到18.5nm；同质HTHP金刚石衬底上CVD金刚石薄膜晶粒尺寸约为10—50nm，表面平整，表面粗糙度为1.8nm.拉曼测试和电阻测量的结果显示，在HTHP金刚
%K diamond
%K doping
%K epitaxy<br>金刚石，
%K 掺杂，
%K 外延
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3924CE079CD6DE55BDFB113632A0F5AD&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D319A8CAE3372156&eid=9438DF4A1CE63979&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=14