氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响
Keywords: 光致发光，,氧流量，,纳米结构，,Ga2O3
Abstract:
用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性. Ｘ射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3. 扫描电子显微镜测试表明: 在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80—15
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