%0 Journal Article
%T 氧流量对热蒸发CVD法生长β-Ga2O3纳米材料的结构及发光特性的影响
%A 马海林
%A 苏 庆
%A 兰 伟
%A 刘雪芹
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 用热蒸发CVD法制备了β-Ga2O3纳米材料, 并用光致发光(PL)方法研究了其发光特性. Ｘ射线衍射分析显示, 产物为单斜结构的β-Ga2O3. 扫描电子显微镜测试表明: 在较小氧流量条件下制备的产物为β-Ga2O3纳米带, 宽度小于100nm, 长度有几微米; 较大氧流量时制备出β-Ga2O3纳米晶粒结构, 晶粒尺度在80—15
%K 光致发光，
%K 氧流量，
%K 纳米结构，
%K Ga2O3
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0EF2F4D1C368BCDD81BB3FBA8C1E3338&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=708DD6B15D2464E8&sid=16FE22B73DAF0796&eid=6ECE1BCE2326B358&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0