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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2008 

Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy
用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

Keywords: L-MBE,TiN,epitaxial growth
激光分子束外延,
,TiN单晶薄膜,,外延生长

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Abstract:

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm2/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底

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