%0 Journal Article
%T Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy<br>用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜
%A He Meng
%A Liu Guo-Zhen
%A Qiu Jie
%A Xing Jie
%A <br>何 萌
%A 刘国珍
%A 仇 杰
%A 邢 杰
%A 吕惠宾
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用激光分子束外延技术，利用两步法，在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示， TiN薄膜材料表面光滑，在10 μm×10 μm范围内，均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示，TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10-5Ω·cm，迁移率达到5830 cm2/V·S，表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底
%K L-MBE
%K TiN
%K epitaxial growth<br>激光分子束外延，
%K TiN单晶薄膜，
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=904D3235554D4F71B5A3E5A58ADA8C55&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=83BD01456E8187CE&eid=4B24DA4DB6EBAD78&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=22