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物理学报 2009
Enhanced external quantum efficiency of light emitting diodes by fabricating two-dimensional photonic crystal sapphire substrate with holographic technique
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Abstract:
为了提高GaN基发光二极管(LED)的外量子效率，在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制作，然后采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚的n型GaN层，4层量子阱和200nm厚的p型GaN层，形成LED结构.衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构，晶格常数为3.8μm，刻蚀深度为800nm.LED器件光强输出测试结果显示，在PSS上制作的LED(PSS-LED)的发光强度普遍高于蓝宝石平
