%0 Journal Article
%T Enhanced external quantum efficiency of light emitting diodes by fabricating two-dimensional photonic crystal sapphire substrate with holographic technique<br>全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率
%A Lin Han
%A Liu Shou
%A Zhang Xiang-Su
%A Liu Bao-Lin
%A Ren Xue-Chang
%A <br>林瀚
%A 刘守
%A 张向苏
%A 刘宝林
%A 任雪畅
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 为了提高GaN基发光二极管(LED)的外量子效率，在蓝宝石衬底制作了二维光子晶体.衬底上的二维光子晶体结构采用激光全息技术和感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术制作，然后采用金属氧化物化学气相沉积(MOCVD)技术在图形蓝宝石衬底(PSS)上生长2μm厚的n型GaN层，4层量子阱和200nm厚的p型GaN层，形成LED结构.衬底上制作的二维光子晶体为六角晶格结构，晶格常数为3.8μm，刻蚀深度为800nm.LED器件光强输出测试结果显示，在PSS上制作的LED(PSS-LED)的发光强度普遍高于蓝宝石平
%K 全息，
%K 发光二极管，
%K 图形蓝宝石衬底，
%K 外量子效率
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=3E6A1F865E0DF7721388404C928DC718&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=0B39A22176CE99FB&sid=4986C0B14AED27B4&eid=BA5B7FED4FC3CDB1&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=10