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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2008 

The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide
铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

Keywords: ZnO,varistor,manganese oxide,positive magnetoresistance
ZnO
,压敏电阻,锰氧化物,正磁电阻

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Abstract:

利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La07Sr03MnO3掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La07Sr03MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现,是由于磁场的存在

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