%0 Journal Article
%T The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide<br>铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究
%A Yang Xin-Sheng
%A Zhao Yong
%A <br>羊新胜
%A 赵勇
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La07Sr03MnO3掺杂的ZnO陶瓷. 晶界处存在La07Sr03MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相. 样品中绝缘相LMO的含量显著影响着样品的电学性能. 掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性. 在样品上施加磁场后，样品电阻值增加，表现为正磁电阻性质. 正磁电阻的出现，是由于磁场的存在
%K ZnO
%K varistor
%K manganese oxide
%K positive magnetoresistance<br>ZnO
%K 压敏电阻
%K 锰氧化物
%K 正磁电阻
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6373F5B1DF9E67E253493711E1F66904&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=94C357A881DFC066&sid=A727C47E738F92CB&eid=61734E97371913BB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9