Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts
AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究，在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算. 通过对不同电流机理的分立研究，得到了更为准确的势垒高度值b. 通过分析温度在300—550K之间肖特基反向泄漏电流的特性，得出结论：AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.