%0 Journal Article
%T Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts<br>AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究
%A Wang Xin-Juan
%A Zhang Jin-Feng
%A Zhang Jin-Cheng
%A Hao Yue
%A <br>王欣娟
%A 张金凤
%A 张进城
%A 郝跃
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究，在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算. 通过对不同电流机理的分立研究，得到了更为准确的势垒高度值b. 通过分析温度在300—550K之间肖特基反向泄漏电流的特性，得出结论：AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.
%K AlGaN/GaN heterostructure
%K Schottky contact
%K ideality factor<br>AlGaN/GaN异质结，
%K 肖特基结，
%K 理想因子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D1DCF9AC925C8C98AB77B4A44D8CAF1C&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=94C357A881DFC066&sid=3EBAD1F7D7EF980D&eid=B9426CD943A8A0A4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=9