Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC
n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱. 理论线形分析表明，与4H-SiC相比，6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小. 5145nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明，k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条，4H-SiC中有二条；高频6303及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关. 最后，利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6