%0 Journal Article
%T Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC<br>n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究
%A Han Ru
%A Yang Yin-Tang
%A Chai Chang-Chun
%A <br>韩茹
%A 杨银堂
%A 柴常春
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 研究了利用离子注入法得到的掺氮n-SiC拉曼光谱. 理论线形分析表明，与4H-SiC相比，6H-SiC中LO声子等离子体激元耦合模(LOPC模)拉曼位移随自由载流子浓度变化较小. 5145nm激发光下得到的电子拉曼散射光谱表明，k位处由1s(A1)到1s(E)的能谷轨道跃迁带来的拉曼谱6H-SiC中有四条，4H-SiC中有二条；高频6303及635cm-1处观察到的谱线被认为与深能级缺陷有关. 最后，利用纤锌矿型结构二级拉曼散射选择定则指认了6
%K silicon carbide
%K electronic Raman scattering
%K valley orbit splitting
%K overtone spectra<br>碳化硅，
%K 电子拉曼散射，
%K 轨道能谷分裂，
%K 倍频谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=61798CB267252395C9CAAE7FB4F401EA&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=94C357A881DFC066&sid=120822B8C7590091&eid=8424FD92DE0D1368&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=23