Characterization of ZrN films deposited by ICP enhanced RF magnetron sputtering
感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究

利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜，研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111)；基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰，ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构，当ICP为200 W，基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失；随着基片温度的升高，N/Zr元素比例降低，并且薄膜的电阻率下降；相对于传统溅射，ICP增强射