%0 Journal Article
%T Characterization of ZrN films deposited by ICP enhanced RF magnetron sputtering<br>感应耦合等离子体增强射频磁控溅射沉积ZrN薄膜及其性能研究
%A Liu Feng
%A Meng Yue-Dong
%A Ren Zhao-Xing
%A Shu Xing-Sheng
%A <br>刘峰
%A 孟月东
%A 任兆杏
%A 舒兴胜
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 利用感应耦合等离子体(ICP)增强射频磁控溅射技术在Si(111)片和M2钢表面制备了ZrN薄膜，研究了基片的温度和ICP功率对ZrN薄膜的结构以及性能影响.研究发现：在基片温度≤300℃沉积的ZrN薄膜择优取向为(111)；基片温度达到450℃时薄膜出现ZrN(200)衍射峰，ZrN(111)晶面的织构系数明显降低.传统磁控溅射沉积薄膜为柱状结构，当ICP为200 W，基片温度为300℃时沉积薄膜中柱状晶体消失；随着基片温度的升高，N/Zr元素比例降低，并且薄膜的电阻率下降；相对于传统溅射，ICP增强射
%K inductively coupled plasma (ICP)
%K magnetron sputtering
%K zirconium nitride
%K microstructure<br>感应耦合等离子体，
%K 磁控溅射，
%K ZrN，微结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=175218388E1EEE005DD59831741D7B3E&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=38B194292C032A66&sid=7E823D8841E016EC&eid=11CC1479731B5118&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=17