RF magnetron sputtering deposition growth of highly orientated strontium barium niobate thin films
高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备

采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层，利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜，获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数，研究发现，KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配，在氧气氩气的比例为1∶2，工作气压为10 Pa，溅射功率300 W，衬底温度300℃，退火温度为800℃的工艺条件下，能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪，原子力显微镜等仪器分析了薄膜