%0 Journal Article
%T RF magnetron sputtering deposition growth of highly orientated strontium barium niobate thin films<br>高择优取向铌酸锶钡薄膜的射频磁控溅射制备
%A Li Yue-Fu
%A Ye Hui
%A Fu Xing-Hai
%A <br>李跃甫
%A 叶辉
%A 傅兴海
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用溶胶-凝胶法在(100)Si单晶上预先制备出掺钾(K)的铌酸锶钡(SBN)缓冲层，利用射频磁控溅射法在缓冲层KSBN上沉积出高择优取向的铌酸锶钡薄膜，获得了磁控溅射法制备择优取向铌酸锶钡薄膜的相关工艺参数，研究发现，KSBN缓冲层能够很有效地克服衬底与SBN薄膜之间较大的晶格失配，在氧气氩气的比例为1∶2，工作气压为10 Pa，溅射功率300 W，衬底温度300℃，退火温度为800℃的工艺条件下，能够获得c轴高度择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.利用X射线衍射仪，原子力显微镜等仪器分析了薄膜
%K sputtering deposition
%K preferred orientation
%K p-n junction effect<br>磁控溅射，
%K 高择优取向，
%K p-n结效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=A345573E64864A0AA26BD6B520C24C18&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=0B39A22176CE99FB&sid=10088244B073A3DF&eid=A31F2945A5873795&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=25