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物理学报 2009
The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET
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Abstract:
SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上，利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述，得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道，同时沟道进入强反型状态，此时的栅电压是该器件的阈值电压.
