%0 Journal Article
%T The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET<br>SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压
%A Tang Xiao-Yan
%A Zhang Yi-Men
%A Zhang Yu-Ming
%A <br>汤晓燕
%A 张义门
%A 张玉明
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上，利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述，得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道，同时沟道进入强反型状态，此时的栅电压是该器件的阈值电压.
%K silicon carbide
%K Schottky contact
%K threshold voltage<br>碳化硅，
%K 肖特基接触，
%K 阈值电压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CDD56E25B90F8A91B2D356BA3356952A&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=3F419E61BD389CC8&eid=CEFA535D01173730&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=11