|
|
物理学报 2009
Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots
|
Abstract:
研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿［100］方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同，量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML，量子点的发光波长红移了约25nm，室温下PL光谱波长接近1300nm.
