%0 Journal Article
%T Effect of the GaAs/GaSb combination strain-buffer layer on self-assembled InAs quantum dots<br>GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长
%A Jiang Zhong-Wei
%A Wang Wen-Xin
%A Gao Han-Chao
%A Li Hui
%A He Tao
%A Yang Cheng-Liang
%A Chen Hong
%A Zhou Jun-Ming
%A <br>蒋中伟
%A 王文新
%A 高汉超
%A 李辉
%A 何涛
%A 杨成良
%A 陈弘
%A 周均铭
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿［100］方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同，量子点的密度可以在1.2×1010cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5ML，量子点的发光波长红移了约25nm，室温下PL光谱波长接近1300nm.
%K 自组装量子点，
%K 分子束外延，
%K Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AF0DDC812E88DB5B2465B4AC7C5601B1&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=DCE57F652E4ADAFC&eid=DA4893B5F9885621&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=18