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物理学报 2009
Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot
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Abstract:
用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径、Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正，结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点，电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后，进一步具体计算了杂质结合能随量子点半
