%0 Journal Article
%T Effect of different effective mass and electric field on the electronic structure in GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dot<br>有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响
%A Wu Hui-Ting
%A Wang Hai-Long
%A Jiang Li-Ming
%A <br>吴慧婷
%A 王海龙
%A 姜黎明
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径、Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正，结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点，电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后，进一步具体计算了杂质结合能随量子点半
%K 球形量子点，
%K 平面波展开法，
%K 有效质量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6e709dc38fa1d09a4b578dd0906875b5b44d4d294832bb8e&cid=47ea7cfddebb28e0&jid=29df2cb55ef687e7efa80dfd4b978260&aid=ff04eee6f5787a6855d998e8bb3f1156&yid=de12191fbd62783c&vid=9ffcc7af50caebf7&iid=ca4fd0336c81a37a&sid=bc88d6b0750e09d1&eid=47f7649551a37cfc&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0