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物理学报 2009
First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN
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Abstract:
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg，Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质，分析比较计算结果.计算表明：掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带，具有半金属性，能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较，Mg共掺后能使居里温度(TC)升高，并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2
