%0 Journal Article %T First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN
第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN %A Xing Hai-Ying %A Fan Guang-Han %A Zhang Yong %A Zhao De-Gang %A
邢海英 %A 范广涵 %A 章勇 %A 赵德刚 %J 物理学报 %D 2009 %I %X 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2 %K Mg
Mg,Si和Mn共掺GaN, %K 电子结构, %K 居里温度(TC), %K 光学性质 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2033C06E0D8433B8FF1FE1D30876FC73&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=0A0BD3F594F876C0&eid=D9202C57BAB9096F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=32