%0 Journal Article
%T First principle study of Mg,Si and Mn CO-doped GaN<br>第一性原理研究Mg，Si和Mn共掺GaN
%A Xing Hai-Ying
%A Fan Guang-Han
%A Zhang Yong
%A Zhao De-Gang
%A <br>邢海英
%A 范广涵
%A 章勇
%A 赵德刚
%J 物理学报
%D 2009
%I 
%X 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg，Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质，分析比较计算结果.计算表明：掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带，具有半金属性，能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较，Mg共掺后能使居里温度(TC)升高，并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2
%K Mg<br>Mg，Si和Mn共掺GaN，
%K 电子结构，
%K 居里温度(TC)，
%K 光学性质
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=2033C06E0D8433B8FF1FE1D30876FC73&yid=DE12191FBD62783C&vid=9FFCC7AF50CAEBF7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=0A0BD3F594F876C0&eid=D9202C57BAB9096F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=32