Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation
a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化

采用AFORS-HET数值模拟软件，对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟，分析了影响背场效果的原因，得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙16 eV，硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料，其最佳厚度在5nm左右. 这种背场从工艺上易于实现，并且，与常用的Al扩散背场相比，在相同的掺杂浓度下，电池效率可以大大提高.