%0 Journal Article
%T Optimizing polymorphous silicon back surface field of a-Si(n)/c-Si(p) heterojunction solar cells by simulation<br>a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池薄膜硅背场的模拟优化
%A Zhao Lei
%A Zhou Chun-Lan
%A Li Hai-Ling
%A Diao Hong-Wei
%A Wang Wen-Jing
%A <br>赵 雷
%A 周春兰
%A 李海玲
%A 刁宏伟
%A 王文静
%J 物理学报
%D 2008
%I 
%X 采用AFORS-HET数值模拟软件，对不同带隙的薄膜硅材料在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的背场效果进行了模拟，分析了影响背场效果的原因，得到了薄膜硅背场在a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池上的适用条件为薄膜硅材料是带隙16 eV，硼掺杂浓度在1018cm-3以上的微晶硅材料，其最佳厚度在5nm左右. 这种背场从工艺上易于实现，并且，与常用的Al扩散背场相比，在相同的掺杂浓度下，电池效率可以大大提高.
%K 薄膜硅，
%K 背场，
%K 硅异质结太阳电池
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=897263F16CD935BFEA3389BFF7C23598&yid=67289AFF6305E306&vid=11B4E5CC8CDD3201&iid=94C357A881DFC066&sid=79BD017EBAEF8519&eid=FB716921F2C277AB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=23