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物理学报 2007
The oxidation characteristics of InN films
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Abstract:
研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性. 研究表明,在400 ℃以下,InN薄膜很难被氧化,而金属In很容易被氧化. 因此富In的InN薄膜的氧化在400 ℃以下主要是金属In的氧化,在400 ℃以上为金属In和InN的同时被氧化. 在400 ℃以上的氧化过程中,InN的表观氧化速率非常慢,这可能和InN的高温分解有关. InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.