The oxidation characteristics of InN films
InN薄膜的氧化特性研究

研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性. 研究表明，在400 ℃以下，InN薄膜很难被氧化，而金属In很容易被氧化. 因此富In的InN薄膜的氧化在400 ℃以下主要是金属In的氧化，在400 ℃以上为金属In和InN的同时被氧化. 在400 ℃以上的氧化过程中，InN的表观氧化速率非常慢，这可能和InN的高温分解有关. InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.