%0 Journal Article
%T The oxidation characteristics of InN films<br>InN薄膜的氧化特性研究
%A Xie ZiLi
%A Zhang Rong
%A Xiu Xiang-Qian
%A Liu Bin
%A Zhu Shun-Ming
%A Zhao Hong
%A Pu Lin
%A Han Ping
%A Jiang Ruo-Lian
%A Shi Yi
%A Zheng You-Dou
%A <br>谢自力
%A 张荣
%A 修向前
%A 刘斌
%A 朱顺明
%A 赵红
%A 濮林
%A 韩平
%A 江若琏
%A 施毅
%A 郑有炓
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 研究了InN薄膜在不同氧气氛中的氧化特性. 研究表明，在400 ℃以下，InN薄膜很难被氧化，而金属In很容易被氧化. 因此富In的InN薄膜的氧化在400 ℃以下主要是金属In的氧化，在400 ℃以上为金属In和InN的同时被氧化. 在400 ℃以上的氧化过程中，InN的表观氧化速率非常慢，这可能和InN的高温分解有关. InN的湿氧和干氧氧化结果说明湿氧氧化速率比干氧快.
%K InN<br>氧化铟
%K 氧化
%K X射线衍射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=85054696306966B4&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=0B39A22176CE99FB&sid=31CCC5D591A72A74&eid=2418F98BB0851817&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=19