γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究

采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91)，计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果，分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明，γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.