%0 Journal Article
%T γ-Si3N4在高压下的电子结构和物理性质研究
%A 丁迎春
%A 徐 明
%A 潘洪哲
%A 沈益斌
%A 祝文军
%A 贺红亮
%J 物理学报
%D 2007
%I 
%X 采用基于密度泛函平面波赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA-PW91)，计算了不同压强下γ-Si3N4的电子结构、光学性质和力学性质.基于计算结果，分析讨论了γ-Si3N4各物理参数随外压力的变化规律.计算表明，γ-Si3N4是一种适合于在高压条件下工作的材料.
%K γ-
%K Si3N4，
%K 光学性质，
%K 力学性质，
%K 高压
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=AA2ABB8DA981EA39&yid=A732AF04DDA03BB3&vid=014B591DF029732F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7555FB9CC973F695&eid=B62E0EEFE746E568&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=19