Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown
超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制

研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（n-MOSFET）软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内，软击穿后的栅电流Ig符合Fowl er-Nordheim隧穿公式，但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0936eV，远小于S i/Si O2界面的势垒高度315eV.研究表明，软击穿后，处于Si/SiO2界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带，而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关；高温下，激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐 渐降低.